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英飞凌推出采用PQFN封装的15V沟槽型功率MOSFET
英飞凌推出了 OptiMOS7 系列，被认为是业界首款 15 V 沟槽功率 MOSFET 技术。OptiMOS 7 15 V 系列主要针对服务器、计算、数据中心和人工智能应用的优化 DC-DC 转···
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英飞凌推出了 OptiMOS7 系列，被认为是业界首款 15 V 沟槽功率 MOSFET 技术。OptiMOS 7 15 V 系列主要针对服务器、计算、数据中心和人工智能应用的优化 DC-DC 转换。
该产品组合包括最新的 PQFN 3.3 x 3.3 mm? Source-Down 封装，具有标准栅极和中心栅极封装的底部和双面冷却变体。该产品组合还包括带有加固夹的坚固 PQFN 2 x 2 mm? 型号。OptiMOS7 15 V 技术专为低输出电压的 DC-DC 转换而定制，特别是在服务器和计算环境中。这一进步与数据中心配电中向高比率 DC-DC 转换的新兴转变相一致。
与现有的 OptiMOS5 25 V 相比??，新型 OptiMOS 7 15 V 通过降低击穿电压，将 R DS(on)和 FOMQg降低约 30%，将 FOMQ OSS降低约 50%。PQFN 3.3 x 3.3 mm? Source-Down 封装变体据说可以提供更通用、更有效的 PCB 设计。此外，PQFN 2 x 2 mm? 封装提供高于 500 A 的脉冲电流能力和1.6 K/W 的典型 R thJC 。
